سامسونگ Foundry با بازده پایین 20 درصد برای تولید تراشه های 3 نانومتری نسل دوم، به دنبال تولید تراشه های 2 نانومتری است.

Samsung Foundry می توانست برتری بزرگی نسبت به TSMC در گره فرآیند 3 نانومتری داشته باشد. به این دلیل که برخلاف TSMC، Samsung Foundry تصمیم گرفت از ترانزیستورهای Gate-All-Around (GAA) برای تولید 3 نانومتری خود استفاده کند. این ترانزیستورها از نانوصفحات افقی به صورت عمودی برای احاطه کانال از هر چهار طرف استفاده می کنند که نشت جریان را کاهش داده و جریان درایو را بهبود می بخشد. در نتیجه، SoCهای ساخته شده با ترانزیستورهای GAA معمولاً عملکرد بهتری را با کاهش مصرف انرژی ارائه می دهند.

این باید به Samsung Foundry برتری در نسل دوم 3 نانومتری که در حال حاضر مورد استفاده قرار می‌گیرد می‌دهد، زیرا کارخانه ریخته‌گری پیشرو TSMC هنوز از ترانزیستورهای FinFET استفاده می‌کند که کانال را تنها از سه طرف احاطه کرده است. TSMC سال آینده زمانی که تولید انبوه تراشه‌های 2 نانومتری خود را آغاز کند، به GAA روی خواهد آورد. اما یک دلیل اصلی وجود دارد که چرا TSMC به کسب و کار خود از ریخته گری سامسونگ ادامه می دهد و آن مربوط به بازده بسیار ضعیف این شرکت است.

Samsung Foundry با گره فرآیند 3 نانومتری خود با مشکلات عملکردی مواجه است. | اعتبار تصویر – ریخته گری سامسونگ

بازده درصد تراشه های خوب است که کنترل کیفیت را پشت سر می گذارند تقسیم بر حداکثر تعداد تراشه هایی که می توان از یک ویفر سیلیکونی تولید کرد. طبق گزارشات، سامسونگ برای تولید 3 نانومتری GAA خود انتظار دارد بازده به 70 درصد برسد و برای اولین نسل از گره 3 نانومتری (معروف به SF3E-3GAE) بازدهی بین 50 تا 60 درصد بود که برای 70 درصدی که ممکن است طراحان تراشه بی‌سابقه را وادار به انتخاب Samsung Foundry برای ساخت اجزای خود کنند خجالتی بود.

سامسونگ با بازده بسیار پایین 3 نانومتری خود ظاهراً در حال پیشرفت است و روی گره 2 نانومتری خود کار می کند. شایعه قبلی از Samsung Foundry خواست تا یک چیپست Exynos بدون نام را بر روی گره SF2P 2nm توسعه دهد و بسازد. این تراشه با نام رمز «Ulysses» شناخته می‌شود و می‌تواند روی یکی از مدل‌های گلکسی S27 که در سال 2027 عرضه شد، عرضه شود.